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6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
11
17
0
60
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15
10 100 200
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
14
13
12
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 6. Broadband Frequency Response
0
24
2240
f, FREQUENCY (MHz)
4--15VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 900 mA
16
12
8
2355
GAIN (dB)
20
Gain
2470 2585 2700 2815 2930 3045 3160
IRL
-- 1 8
0
-- 3
-- 6
-- 9
-- 1 2
IRL (dB)
ηD
2690 MHz
2620 MHz
2655 MHz
2690 MHz
2620 MHz
2655 MHz
VDD=28Vdc,IDQ
= 900 mA, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
2690 MHz
2620 MHz
2655 MHz
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